GRUPO 9:
Lucía Torres
Edgar Leal
MODELO DE ALTA FRECUENCIA DEL FET
El modelo de alta frecuencia del FET se indica en la Fig. Este describe tanto el JFET como el MOSFET canal n. Por lo general, las capacidades indicadas tienen un valor bajo en pF.
Las capacidades Cgs y Cgd, representan las capacidades distribuidas que atraviesan el óxido entre la puerta y el canal. En el JFET representan las capacidades de deplexión. El modelo se mejora agregando un resistor Ro en la salida (rds).
El análisis en alta frecuencia de los amplificadores FET es similar al realizado para transistores bipolares.
Los condensadores que limitan la frecuencia de operación de un FET son: capacidad puerta-fuente o Cgs, capacidad puerta-drenador o Cgd, y capacidad drenador-fuente o Cds; generalmente Cgs >> Cgd, Cds. En la figura se indica el modelo de pequeña señal y alta frecuencia para transistores FET.
Por conveniencia, los fabricantes miden las capacidades de un FET en condiciones de cortocircuito a través de tres capacidades: Ciss o capacidad de entrada con salida cortocircuitada, Coss o capacidad de salida con entrada cortocircuitada, y Crss o capacidad de retroalimentación. Estas capacidades varían con las tensiones de polarización; por ejemplo, en la gráfica
se indica el valor de estas capacidades en función de VDS. La relación entre ambos tipos de capacidades es la siguiente
El terminal puerta de un FET no está aislado del de drenaje, sino que están conectados a través de Cgd., esa capacidad puede descomponerse en dos: (1-Av)Cgd. y (1-1/Av)Cgd., siendo Av= –gmRD||rd. Despreciando la segunda capacidad que se suma a Cds, se observa que se incrementa notablemente la capacidad de entrada (Ci) de puerta del FET. Al ser ésta la capacidad dominante, la frecuencia de corte superior viene dada como
